瑶芯微电子发布碳化硅超级结MOSFET产品

中证报中证网讯（记者 黄一灵）近日，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司（简称“瑶芯微电子”）发布碳化硅超级结MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。瑶芯微电子联合创始人、CTO陈开宇在接受中国证券报记者采访时表示：“此次发布，意味着中国厂商在下一代碳化硅技术竞争中，迈入从‘跟随对标’走向‘原创突破’的全新阶段。”

据介绍，该产品由瑶芯微电子与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队合作，历时五年联合技术攻关，协同晶圆代工厂芯联集成进行工艺平台开发，在业内率先实现该技术从实验室走向产业化的突破。

功率器件是电能转换、控制与调节的核心芯片，是电力电子装置的基础。从材料构成角度来说，功率器件主要包括利用硅基材料以及宽禁带半导体材料（又称“第三代半导体材料”，包括碳化硅以及氮化镓）制备的产品。而碳化硅功率器件具备高耐压、低损耗、耐高温以及高频特性的优势，是实现电能高效转换的核心载体。现阶段，碳化硅功率器件主要包括平面型MOSFET以及沟槽型MOSFET。为进一步提升器件的功率密度与转换效率，超级结MOSFET技术被业界公认为下一代突破方向，从理论上为高压、超高压功率器件开辟出大幅提升器件性能的可行路径。但受电荷平衡控制难度大、工艺精度要求极高等因素制约，该技术长期停留在实验室研究阶段。

西安电子科技大学教授贾仁需称，碳化硅超级结器件研发面临的难题一是“算不准”，理论模型与实际工艺难适配；二是“找不到”，复杂结构导致多区域电场分布难协同；三是“做不出”，工艺波动导致结构设计难实现。 EBC交易平台

“最近几年，无论学术界还是产业界都亟需寻找下一个10年的技术路线，碳化硅超级结技术虽然已被广泛研究，但面临的很多技术瓶颈仍未攻克。历经艰苦攻关，我们接二连三破解各类难题，找到了解决方案并最终实现了产业化落地。”瑶芯微电子创始人、董事长郭亮良说。

据了解，目前，瑶芯微电子围绕新能源汽车全场景、数据中心800V供电架构全链路等核心应用领域，构建了功率器件系统级解决方案，公司的功率器件产品已进入多家全球汽车电子以及AI数据中心电力电子客户供应链。同时，公司在国内率先实现8英寸碳化硅MOSFET量产。

陈开宇称，在应用端，碳化硅超级结技术带来的不只是器件性能的提升，更是系统级的变革。首先，显著提升器件在高温下的功率密度，带来模块设计和电路架构的变革。其次，突破3300V以上高压大电流器件的技术瓶颈，实现在数据中心固态变压器以及电网装备等场景中的应用。最后，芯片面积显著缩小，叠加8英寸晶圆制造的优势，可以大幅降低单芯片成本，为客户提供更高性价比的产品。